朗科科技最新获得韩国发明专利授权

   日前，朗科科技宣布，最新获得韩国发明专利授权一份。对于以技术创新，知识产权立企的朗科科技来说，这无疑又是一个利好消息。此次获得的发明专利授权为“闪存介质数据写入方法”。这是朗科科技在半年之内第五次获得新的发明专利授权，再次验证了朗科科技强大的技术实力和持续创新能力。对上市公司朗科科技而言，获得新的发明专利授权，将进一步提高公司专利运营的基础实力，其专利运营的业务范围也随之进一步扩大。

   本次韩国第1087313号发明专利 “闪存介质数据写入方法”，提供了一种应用于对两片或多片闪存芯片(Flash)的数据写入方法，该方法包括：先将两片闪存芯片中的物理块分别对应于奇数逻辑块地址和偶数逻辑块地址；从数据写入指令中解析出写操作对应的逻辑块地址；判断所述逻辑块地址的奇偶性并根据所述逻辑块地址的奇偶性选择对应的闪存芯片；操作该闪存芯片，对所操作的闪存芯片发出编程或擦除命令后检测另一片闪存芯片是否需要进行编程或擦除操作，当所述另一片闪存芯片需要进行编程或擦除操作时，则向所述另一片闪存芯片发出编程或擦除命令。使用本发明的方法可同时两片闪存芯片进行编程和擦除操作，从而大大提高了数据写入的速度。

    早在2004年12月14日，朗科科技就向韩国特许厅提交了此发明专利的申请文件，历时7年之后，经韩国特许厅审理，于2011年11月21日予以正式授权。朗科科技日前已收到该发明专利的授权证书。

韩国特许厅的发明专利授权证书

   众所周知，朗科科技在全球率先发明了基于USB接口、采用闪存(Flash Memory)介质的新一代存储产品闪存盘。当时的媒体将之评价为“中国在计算机存储领域二十年来唯一属于中国人的原创性发明专利成果”。正是由于有了朗科科技的开创性发明，在全球范围内直接推动“取代软盘软驱”的存储革命，为IT技术的发展，做出了属于中国人的贡献。据了解, 朗科科技拥有闪存盘、闪存应用及移动存储领域多项基础性及核心发明专利。

   为更有效维护公司专利运营体系，朗科科技在主营业务领域内进行了一系列全面、系统的研究开发，并将研发成果按一定布局在有关国家或地区申请数量众多的系列专利，形成“专利池”，使得相关产品同时受到多个专利的覆盖，一般以 “专利池”整体作为专利授权许可的标的。依托严密广泛的“专利池”和比较完整的专利布局，公司成功开创了业内独有的专利盈利模式，并通过专利运营与产品运营实现盈利的持续增长。

   目前，朗科科技已成功建立了研发、专利和品牌三维一体的企业发展模式，并通过不断的技术创新、发展自主知识产权、维护自主知识产权和有效的专利运营，成功地将知识产权转变成了可持续性的专利收益，从而成功开创了专利运营这一全新的商业模式。