单晶硅电池形成自主知识产权引领光伏企业向前发展

　　由中科院半导体所韩培德研究员领导的光伏能源组，在国家纵向经费和自筹经费的支持下，瞄准光伏企业需求，经过多年苦战，综合了入射光减反技 术、钝化技术、选择性发射极技术、背面局部重掺技术等优点，在单晶硅衬底上研发出效率高达20.0%的太阳电池(短路电流密度 JSC=43.9mA/cm2，开路电压VOC=602mV，填充因子FF=0.758)，并经中国计量科学研究院认证。

　　在中国特色的光伏运动推动下，单晶硅/多晶硅太阳电池将以第一代电池身份(今年年底)跨入Martin A.Green说描述的第三代电池范畴(即光电转换效率20%，电力成本$0.5/W，制造成本$100/m2)，单晶硅/多晶硅太阳电池在光伏能源中的 主导地位将长期不变。正因如此，提高单晶硅电池效率、形成自主知识产权、引领光伏企业向前发展更具有重要的战略意义。

　　针对当前光伏低谷的产业形势，课题组提出了“提效率、重检测、降成本、促应用” 十二字方针，以此作为该组日常工作指南，努力走一条与企业需要相结合的研发道路。下一步将继续提高电池效率，同时对现有技术进行中试，并在产线上加以推广和应用。